JEDEC tarafında HBM bellek yığınlarının kalınlık standardında gündeme gelen esneme, Samsung ve SK hynix’in yeni nesil paketleme planlarını etkileyebilir. Kore basınında yer alan bilgilere göre iki üretici, uzun süredir HBM4 için konuşulan hybrid bonding teknolojisini bu nesilde kullanmayıp daha ileri ürünlere bırakmayı değerlendirebilir.
Hybrid bonding, özellikle daha fazla DRAM katmanına sahip gelecek nesil HBM çözümleri için öne çıkıyor. Mevcut yaklaşımda kullanılan ısı bazlı birleştirme yönteminde her DRAM kalıbının altında bump yapıları ve underfill bulunuyor; ardından ısı ve basınçla katmanlar bir araya getiriliyor. Hybrid bonding ise bu yapıyı sadeleştirerek özellikle ısı yönetimi tarafında avantaj sağlayabiliyor.
Daha önce SK hynix’in hybrid bonding kullanan 12 katmanlı bir HBM yığınını doğruladığı ve HBM4 ile üretime geçmesinin beklendiği bildirilmişti. Ancak son bilgiler, Samsung ve SK hynix’in bu geçişi HBM4 yerine HBM4E dönemine kaydırabileceğine işaret ediyor. Bu değişimde en önemli unsur olarak JEDEC’in kalınlık standardını gevşetme hazırlığı gösteriliyor.
Mart ayında ortaya çıkan bilgilere göre kurum, HBM4 yığınının kalınlık tanımını mevcut 775 mikrometreden 825 ile 900 mikrometre aralığına yükseltmeyi değerlendiriyordu. Yeni raporda ise HBM5 için mevcut 900 mikrometre seviyesinin 1,000 mikrometreye çıkarılabileceği belirtiliyor. Kalınlık sınırı genişledikçe üreticilerin daha karmaşık birleştirme tekniklerine hemen geçme baskısı da azalıyor.

Talep tarafı da bu yaklaşımı destekliyor olabilir. Büyük müşterilerin yüksek katmanlı HBM çözümlerine yönelik taleplerini ötelediği, bu nedenle 16 katmanlı tasarımlara ilişkin görüşmelerin şu aşamada aktif olmadığı aktarılıyor. Hatta HBM4E ürünlerinin bile 12 katmanda kalabileceği ifade ediliyor.
Buna rağmen iki şirketin hybrid bonding’in sunduğu termal faydalardan tamamen vazgeçmediği görülüyor. Underfill katmanının ortadan kalkması, ısı dağılımını iyileştirebildiği için soğutma açısından önemli bir avantaj yaratıyor. Ayrıca giriş-çıkış terminal sayısındaki artış nedeniyle HBM5E ile birlikte hybrid bonding kullanımının zorunlu hale gelebileceği de konuşuluyor.

