Intel’in son yıllarda attığı stratejik adımların sonuç vermeye başladığına işaret eden yeni değerlendirmeler, şirketin özellikle gelişmiş paketleme ve üretim teknolojilerinde elini güçlendirdiğini gösteriyor. UBS’ye göre sektör, Intel’in EMIB-T çözümünde hem uygulama tarafına hem de verimliliğe artık daha olumlu bakıyor.
Buna göre Intel’in EMIB-T kapasitesi, 2028 itibarıyla MediaTek’in TPU odaklı talebini karşılayacak ölçekte, 2 milyonun üzerinde substrate seviyesine çıkabilir. MediaTek burada kritik bir konumda bulunuyor; şirket, Google’ın yeni nesil TPU v9 AI çip serisi için başlıca tasarım ve geliştirme ortağı olarak öne çıkıyor. Bu seride 2nm “Humufish” ve onun güncellenmiş varyantı “Triggerfish” de yer alıyor.
EMIB, temelde bir işlemci paketinin içinde birden fazla silicon yongayı, organik substrate içine gömülü küçük silicon “bridge” yapılarıyla birbirine bağlıyor. Yüksek yoğunluklu micro-bump bağlantıları ise yalnızca chiplet’lerin bridge ile buluştuğu kenar bölgelerinde kullanılıyor. Böylece farklı yongaların tek paket içinde daha sıkı ve hızlı haberleşmesi mümkün oluyor.
EMIB-T ise bu yapıyı bir adım ileri taşıyor. Çözümde, gömülü silicon bridge’lerin içinden geçen Through-Silicon Via yani TSV kanalları bulunuyor. Bu dikey bağlantılar, güç ve yüksek hızlı sinyallerin paket altından yukarı doğru, doğrudan işlemci veya bellek katmanlarına iletilmesini sağlıyor. Sonuç olarak 3D stacking için daha uygun bir mimari ortaya çıkıyor.
Bu yapıda kullanılan substrate; hassas oyuklara sahip temel organik paneli, bridge’lerin üzerini örten ve ABF kullanan dielectric build-up katmanlarını ve TSV içeren silicon bridge parçalarını kapsıyor. Temel panel tarafında Ibiden ana tedarikçi olarak anılırken, Shinko, Unimicron ve AT&S de listede yer alıyor.
Maliyet tarafında ise Intel’in EMIB-T çözümünün, TSMC’nin CoWoS paketlemesine kıyasla yaklaşık %50 daha ucuz olduğu belirtiliyor. Öte yandan TSMC, avantajını korumak için yeni nesil CoPoS panel-level packaging yaklaşımına hazırlanıyor.
Intel’in bir diğer dikkat çeken alanı da high-NA EUV. Şirket bu teknolojide 1 milyonuncu test wafer üretimini tamamladı. Bu da Intel’in, Samsung ve TSMC’ye kıyasla high-NA EUV kullanımında yaklaşık 2 ila 4 yıl önde olabileceğine işaret ediyor. High-NA EUV, tek pozlamada daha küçük geometrilerin basılmasını sağlarken, 3nm altındaki üretimlerde multi-patterning ihtiyacını azaltıyor.
