Çinli bellek üreticisi CXMT, yeni nesil 4F² DRAM hücre mimarisini ticarileştirme planlarını daha somut hale getirdi. Şirket Başkanı Dr. Cao Kanyu, Şanghay’da düzenlenen 4. Integrated Chip and Chiplet Conference kapsamında yaptığı sunumda, CXMT’nin 2026 sonuna kadar 4F² tabanlı bir DDR5 RDIMM ürünü sunmayı hedeflediğini açıkladı. Bu takvim, Samsung’un aynı mimariyi ürünlerine taşıma planından yaklaşık 2 yıl daha erken bir tarih anlamına geliyor.
Buradaki ürün sınıfı da önemli. RDIMM, yani Registered Dual In-Line Memory Module, işlemciden gelen sinyalleri bir saat çevrimi boyunca tamponlayarak bellek yongalarına ileten bir yapı kullanıyor. Bu yaklaşım elektriksel yükü azaltıyor ve özellikle sunucu sistemlerinde tek anakart üzerinde daha fazla sayıda, daha yüksek kapasiteli bellek modülünün kullanılmasına yardımcı oluyor. Dolayısıyla CXMT’nin ilk hedefinin masaüstü yerine sunucu segmenti olması dikkat çekici.
4F² mimarisi, DRAM hücresinin temel bileşenleri olan bir transistör ile bir kapasitörü yatay değil dikey düzenle istifleyen yeni bir yaklaşım olarak öne çıkıyor. Bu düzenlemede tek hücrenin kapladığı alan 4 × F² seviyesine iniyor ve yapı 2 bitline ile 2 wordline içeriyor. Bu değişim, hücre yoğunluğunu ciddi biçimde artırma potansiyeli taşıyor. Verilen bilgilere göre yalnızca 4F² düzenine geçiş bile DRAM üreticilerine yonga başına hücre yoğunluğunda %30 ila %50 artış sağlayabiliyor.
CXMT’nin bu alanda yeni olmadığı da görülüyor. Şirketin 4F² mimarisine ilişkin ilk teknik çalışmasını 2021’de yayımladığı belirtiliyor. Ayrıca 6F²’den 4F²’ye geçiş, aynı özellik boyutunda bellek hücresi alanını yaklaşık %33 azaltabiliyor. Bunun yeni transistör gereksinimleri doğurduğu ifade edilirken, ilk ticari uygulamanın şirketin 15nm G5 DRAM sürecinde 4F²’nin kısmi bir türevi şeklinde ortaya çıkabileceği aktarılıyor.
Üretim tarafında CXMT’nin High-k Metal Gate yani HKMG teknolojisini kullandığı da söyleniyor. Bu yaklaşım, eski silikon tabanlı yalıtkanın yerine hafniyum oksit (HfO₂) gibi bir malzeme getirerek akım kaçağını azaltıyor, boşa giden ısıl enerjiyi düşürüyor ve güç verimliliğini iyileştiriyor. Aynı zamanda transistörlerin daha hızlı anahtarlanmasına imkan vererek daha yüksek hızların önünü açıyor. Şirketin HKMG’yi G4 DRAM üretim sürecinde ve LPDDR5X ürünlerinde uyguladığı ifade ediliyor.
CXMT’nin kapasite artışı da en az teknoloji tarafı kadar iddialı. Şirketin bu yılın sonuna kadar üç adet 300mm DRAM fabrikası üzerinden aylık toplam 300.000 wafer kapasitesine ulaşması bekleniyor; her bir tesisin kapasitesi yaklaşık 100.000 wafer seviyesinde. Buna ek olarak 2026 sonuna kadar HBM odaklı yaklaşık 50.000 wafer/ay kapasite planlandığı belirtiliyor. Şanghay ve Hefei’de inşa edilen iki yeni fab ile toplam üretim kapasitesinin 600.000 wafer/ay seviyesine çıkması hedefleniyor.
Samsung cephesinde ise 4F² mimarisinin B1b süreciyle, yani resmi adıyla D0a olan ilk sub-10nm DRAM üretim teknolojisiyle devreye alınmasının beklendiği aktarılıyor. Bu yaklaşımda bellek hücreleri ile çevresel sürücü devreleri ayrı wafer’larda üretilip wafer-to-wafer hybrid bonding ile birleştirilecek. Ancak hybrid bonding maliyetli bir yöntem olduğundan, bu mimariye dayalı ilk ürünlerin fiyat tarafında üst segmente konumlanması sürpriz olmayacaktır.
