Micron, yeni nesil G11 3D NAND belleğiyle 2027’nin ikinci yarısında önemli bir sıçrama hedefliyor. Şirketin paylaştığı bilgilere göre bu nesil, mevcut G9 platformuna kıyasla yaklaşık 2 kat depolama yoğunluğu, %50’ye kadar daha yüksek I/O performansı ve bit başına veri aktarımında %25’ten fazla daha düşük enerji tüketimi sunacak. Bu gelişmeler, hem istemci hem de veri merkezi SSD’lerinde daha yüksek kapasite ve verimlilik anlamına geliyor.
G11’in öne çıkan teknik değişikliği, wafer-on-wafer bonding yaklaşımına geçiş olacak. Bu yöntemde NAND dizisi ile çevresel mantık ve I/O bölümleri farklı wafer’lar üzerinde, farklı üretim süreçleriyle hazırlanıp daha sonra birleştiriliyor. Micron, önceki nesillerde CMOS-under-array mimarisini kullanıyordu. Yeni yaklaşım ise bellek dizisi ile mantık devrelerini birbirinden daha bağımsız biçimde optimize etmeye imkan tanıyarak kapasite ve performans tarafında ek esneklik sağlıyor.
Katman sayısı tarafında da dikkat çekici bir artış söz konusu. Micron, G11’in 400’ün üzerinde katman içereceğini doğruladı, ancak aktif wordline katmanı sayısını ya da kaç bellek deck’i kullanıldığını açıklamadı. Şirket ayrıca sektör lideri bir bellek hücresi pitch değerinden söz ediyor. Bu da yoğunluk artışının yalnızca katman eklemekten değil, hücre boyutlarının küçültülmesinden de geleceğine işaret ediyor.
Performans tarafında işaret edilen artış da kayda değer. Micron’un verdiği çerçeveye göre I/O hızları 3,600 MT/s seviyesinden 5,400 MT/s düzeyine yükselebilir. Daha yüksek bant genişliği, özellikle büyük veri kümeleriyle çalışan sistemler ve yapay zeka odaklı depolama çözümleri için önemli. Aynı zamanda enerji tüketimindeki düşüş, yüksek kapasiteli SSD’lerde toplam verimliliği artırabilir.
Micron, G11 sonrasında da 3D NAND ölçeklemesini yalnızca katman sayısını artırarak sürdürmeyi planlamıyor. Şirket; yeni yüksek hareket kabiliyetli malzemeler, daha yoğun bellek hücresi mimarileri ve daha verimli veri yolları üzerinde çalıştığını belirtiyor. Amaç, Z ekseninde katman eklerken X ve Y eksenlerinde hücre boyutlarını da küçülterek yoğunluğu artırmak ve üretim karmaşıklığını dengede tutmak.
Şimdilik G11 sonrası yol haritasına ilişkin somut üretim takvimi, mimari detaylar veya yeni yoğunluk hedefleri paylaşılmış değil. Yine de Micron’un verdiği mesaj net: gelecek nesil 3D NAND gelişimi, sadece daha fazla katmandan değil; malzeme bilimi, hücre mimarisi ve çevresel devre tasarımındaki ilerlemelerden beslenecek. Micron’un G11 için daha ayrıntılı teknik bilgileri, seri üretim başlangıcına yaklaşıldığında 2027 içinde açıklaması bekleniyor.
