Intel, 45nm (nanometre) lojik teknolojisinin geliştirilmesinde önemli bir kilometre taşına ulaşan ilk şirket olduğunu açıkladı. Intel, gelecek kuşak, yüksek hacimli yarı iletken üretim prosesi olan 45nm proses teknolojisini kullanan ilk tam fonksiyonlu SRAM (Static Random Access Memory) bellek yongalarını üretti. Bu kilometre taşına ulaşmak, Intel’in 300 mm silikon tabakalarını kullanarak 2007’de yongalar üretmeye başlayacağını ve her iki yılda bir yeni bir işlemci kuşağı çıkararak, Moore Yasası’nın sınırlarını zorlamaya odaklanmaya devam ettiğini gösteriyor.
Son Yorumlar
- Advertisment -
