Samsung, küresel yapay zekâ altyapısındaki büyümenin etkisiyle hızla artan DRAM talebine yanıt olarak bellek üretim stratejisinde önemli bir değişikliğe hazırlanıyor. SE Daily’nin aktardığı Koreli sektör kaynaklarına göre şirket, Pyeongtaek ve Hwaseong’daki bazı NAND flash üretim hatlarını DRAM üretimine dönüştürmeyi planlıyor. Ayrıca Pyeongtaek’teki yeni P4 fabrikası tamamen DRAM üretimine ayrılacak ve Samsung’un en yeni 1c üretim sürecini kullanacak. Kaynaklar, Samsung’un NAND pazarında temkinli davrandığını, buna karşılık standart DRAM talebinin keskin biçimde yükseldiğini belirtiyor. Fiyatlar hızlı şekilde artarken, bazı sunucu müşterilerinin 96 GB ve 128 GB DDR5 modüller için yüzde 70’e varan daha yüksek fiyat teklif ettiği, buna rağmen yeterli tedarike ulaşamadığı ifade ediliyor. Büyük teknoloji firmalarının bu sıkıntının yıllarca sürebileceğini öngördüğü ve şimdiden 2027 için DRAM tahsisleri üzerinde görüşmelere başladığı bildiriliyor.
Samsung hâlihazırda Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 ve Hwaseong kampüsünde hem DRAM hem NAND üretiyor. P1 ve Hwaseong’daki hibrit üretim hatları, NAND ekipmanlarının kaldırılmasıyla birlikte daha fazla DRAM ağırlıklı çalışacak. İnşaatı tamamlanmak üzere olan Fab 4, gelecek yıl yalnızca 1c DRAM üretimi yaparak faaliyete geçecek ve Samsung, başlangıçta döküm üretimi için planlanan P4’ün ikinci bölümünü de DRAM’a tahsis etmeyi değerlendiriyor. Bu dönüşüm tamamlandığında, P1 (Hwaseong) ve Fab 4’ten (P4) çıkacak DRAM üretiminin gelecek yılın ilk yarısında kayda değer biçimde artması bekleniyor. Güney Kore’deki NAND üretimindeki düşüş ise Samsung’un Çin’in Şian kentindeki tesisinde kapasitenin artırılmasıyla dengelenecek.
