Samsung, SK hynix ve Micron, NVIDIA’nın 2026’nın ikinci yarısında tedarik etmesi için istediği yeni 16-Hi HBM4 yüksek bant genişlikli bellek çipleri geliştirmek adına birbirleriyle rekabet ediyorlar. Bu bellek tipi şimdiye kadar ticari olarak hiç üretilmemiş, daha yüksek performans ve yoğunluk sunan bir teknoloji olarak dikkat çekiyor.
Şirketlerin hepsi 16-Hi HBM4 bellekleri NVIDIA’ya yüksek hacimlerde tedarik etmek için geliştirme çalışmalarını tam gaz sürdürüyor ancak henüz kesin sözleşmeler imzalanmış değil. Şu anda sadece ilk üretim miktarları üzerinde iç görüşmeler yapıldığı belirtiliyor.
Bir sektör yetkilisi, “12-Hi HBM4 tedarikinin ardından 16-Hi bellek siparişi de istendi, bu yüzden çok hızlı bir geliştirme takvimi oluşturuyoruz. Performans değerlendirmeleri gelecek yıl üçüncü çeyrekten önce başlayabilir” diyor.
12-Hi HBM4, 2026 başlarında seri tedarik aşamasına girmesi bekleniyor. Buna karşılık 16-Hi HBM4 bellekler, mevcut HBM yongalarından daha fazla katman ve çok daha karmaşık üretim gerektirdiği için geliştirme sürecinin hızlandırıldığı bildiriliyor. Bazı uzmanlar bu yeni bellek türünün HBM4E olarak adlandırılabileceğini söylüyor.
Yeni 16-Hi HBM yongalarının üretimi, yonga katman sayısının artmasıyla birlikte ciddi teknik zorluklar içeriyor. Mevcut 12 katmanlı HBM yongaları yaklaşık 50 mikrometre (㎛) kalınlığındayken, 16 katmana ulaşmak için bu kalınlığın yaklaşık 30 ㎛ seviyesine düşürülmesi gerekiyor. Bu da üretimi zorlaştıran ana faktörlerden biri.
Ayrıca JEDEC tarafından HBM4 için belirlenen standart toplam kalınlık 775 ㎛ olarak korunuyor. Bu yüzden daha fazla yonga katmanın bu sınırlı kalınlıkta sığdırılması gerekiyor.
Şu anda Samsung ve Micron, Thermal Compression Non-Conductive Film (TC-NCF) isimli bir bağlama yöntemi kullanırken; SK hynix, Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) yöntemini kullanarak üretim sürecini optimize etmeye çalışıyor. Bu süreçte bağlayıcı malzemenin kalınlığının yaklaşık 10 ㎛ olduğu ve bunu daha da düşürmenin rekabet açısından kritik olduğu belirtiliyor. Ayrıca bağlandıktan sonra ortaya çıkan ısıyı dağıtmak da başka bir önemli teknik zorluk.
