DRAM belleklerin hızı ve flash belleklerin kalıcılık özelliğini bir araya toplayan yeni bir bellek türü, North Carolina State University (NCU) araştırmacıları tarafından geliştirilmeye başlandı.
Universal Memory teknolojisi, çift floating-gate FET (field effect) transistörüne sahip (floating gate: basitçe, her bellek hücresi içinde veri değerlerinin 1 ve 0 şeklinde yüklendiği iki transistörden biri. Diğeri ise control gate).
Bu yeni teknoloji sayesinde bilgisayar erişim olmayan belleği kapatarak güç tüketimini büyük ölçüde azaltabilecek. Bu da mobil cihazlardan sunuculara, hatta verimerkezlerine kadar tüm bilgisayarlarda ciddi anlamda bir enerji kazanımı sağlayabilecek.
Araştırmacılara göre bu sistemde, bit’leri ifade eden şarjlar yüklenirken flash belleklerde olduğu gibi sıcak elektron enjeksiyonu yerine, doğrudan tünelleme gerçekleştiriliyor. Böylece çok daha düşük gerilimlerde (voltajda) işlem yapılabiliyor. Bu iki floating gate transistöründen ilki neredeyse DRAM kadar sık (16 ms) tazeleme gerektiriyor, ancak voltajı yükselterek veri değeri ikinci transistöre gönderiliyor ve uzun süreli kalıcı depolama yapılabiliyor.
Yeni bellek teknolojisini kullanan bilgisayarlar, bekleme konumunda olmadıkları sürece normal çalışacak, bekleme konumuna girdiklerinde ise veri değerleri bu ikinci transistöre transfer edilerek bellek yongası kapatılabilecek. Bu verilere tekrar ihtiyaç duyulduğunda ikinci transistör veriyi hızla birinci transistöre gönderecek ve işlem devam edecek. Tabii ani elektrik kesilmelerinde de güç kaynağının sağladığı birkaç milisaniye bellekteki verilerin ikinci transistöre yüklenmesi için yeterli olabilecek.
Araştırmacılar şu anda veri okuma/yazma döngülerinin parça ömrünü kısa sürede tüketmemesi için çalışmalar yapıyorlar. Standart flash belleklerde sıcak enjeksiyon sebebiyle en fazla 10 bin okuma/yazma döngüsü gerçekleşebiliyor. Çift floating-gate transistörlerde voltaj daha düşük, böylece yorulma da daha az, ancak gerçek sonuçlar döngü testlerinden sonra belli olacak. Testler olumlu çıkarsa araştırmacılar gerçek yarı-iletken belleklerin üretilmesi için kolları sıvayacaklar. Bu aşamaya da önümüzdeki yıl gelinmesi bekleniyor.
