Geçtiğimiz günlerde, Samsung’un NAND pazarlarının geleceğine yönelik planlarından bazıları ortaya çımıştı; bunların arasında, birbiri üzerine yığılmış 290 katmanla gelecek ve yeni bir pazar standardı belirleyecek olan 9. Nesil V-NAND flash’ın piyasaya sürülmesi de var. İlginç bir şekilde Koreli dev, gelecek yıl piyasaya sürülmesi beklenen şaşırtıcı 430 katmanlı istiflemeye (10. Nesil V-NAND) sahip bir NAND ürününü de duyurdu. Samsung Electronics, bu tür ekipmanlarla birlikte 1000 TB kilometre taşını mümkün olan en kısa sürede geçmeyi planlıyor.
Honolulu’daki VLSI Teknoloji Sempozyumunda , Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü’nden (KAIST) araştırmacıların, belirli koşullar altında ferroelektriklik sergileyen bir malzeme sınıfı olan Hafnia Ferroelektrik hakkındaki bulgularını sunmaları bekleniyor. Ferroelektrik özellikleri daha küçük, daha verimli kapasitörlerin ve bellek cihazlarının geliştirilmesine olanak sağlayabileceğinden, son zamanlarda özellikle bilgisayar endüstrisinde büyük ilgi gördüler.
Samsung’un Ar-Ge sürecine doğrudan dahil olmadığını ancak ilgili kişilerin doğrudan Koreli devle ilişkili olduğunun söylendiğini belirtmekte fayda var. Hafnia Ferroelectrics’in petabayt depolama cihazlarının yaratılmasına yol açıp açmayacağı kesin olmasa da, baskın bir rol oynayabilir ve sonuçta bizi bu dönüm noktasına taşıyabilirler.
