Samsung Electronics, 400 katmanlı NAND teknolojisini geliştirerek SK Hynix’in 321 katmanlı NAND’ını geride bırakmayı başardı. Yeni teknoloji 2025’in ikinci yarısında seri üretime geçecek ve belki de 2025’in ikinci çeyreğinde erken üretime başlayacak. Samsung, Pyeongtaek kampüsündeki üretim tesisine bu yeni teknolojiyi entegre etmeye başlamış bile. 400 katmanlı NAND, belleği 3 katmanlı istifleme yöntemiyle depolayarak büyük bir yenilik sunuyor. Samsung şu anda küresel NAND flaş pazarında %36,9 pazar payına sahip ve bu ilerleme şirketin 2025 yılına güçlü bir başlangıç yapmasını sağlayacak.
400 katmanlı NAND, 2025’in ikinci yarısında seri üretime girmesi beklenen 1Tb TLC NAND’ı içeriyor. Ayrıca Samsung üretim kapasitesini artırarak Pyeongtaek’te yeni 9. nesil tesisler kurmayı planlıyor. 3D NAND teknolojisinin evrimiyle geliştirilen bu yeni teknoloji, depolama yoğunluğunu artırarak daha verimli bir çözüm sunmayı hedefliyor.
