Yapay zekâ odaklı talebin etkisiyle bellek pazarında dikkat çekici bir fiyat dengesi ortaya çıktı. Güncel hesaplamalara göre 1b DRAM’in milimetrekare başına maliyeti, TSMC’nin ileri seviye N2 üretim düğümündeki wafer maliyetini geride bırakmış durumda.
300 mm TSMC N3 wafer için yaklaşık $20,000, aynı boyuttaki N2 wafer için ise yaklaşık $30,000 seviyesi belirtiliyor. Bu da milimetrekare başına N3 için yaklaşık $0.283, N2 için ise yaklaşık $0.424 anlamına geliyor.
1b DRAM tarafında ise bit yoğunluğu milimetrekare başına 0.436 Gb olarak veriliyor. Referans fiyatın Gb başına $1.50 alınmasıyla birlikte, ortaya milimetrekare başına yaklaşık $0.654’lük bir değer çıkıyor. Bu rakam, aynı alan için TSMC N2 wafer maliyetinden yaklaşık %54 daha yüksek.
Bu referans fiyatın piyasa koşullarına yakın olduğu da görülüyor. 16 Gb DDR5 eTT için açıklanan $24.80 fiyat, Gb başına yaklaşık $1.55 seviyesine denk geliyor. Dolayısıyla hesaplamada kullanılan $1.50 per Gb varsayımı makul bir temel oluşturuyor.
Karşılaştırma yalnızca en yeni DRAM nesliyle sınırlı değil. Daha eski 1z DRAM de milimetrekare başına 0.273 Gb bit yoğunluğuyla yaklaşık $0.410 düzeyine ulaşıyor. Bu değer de TSMC’nin en ileri üretim teknolojilerinden biri olan N2 ile neredeyse aynı seviyede.
Buradaki kritik nokta, DDR5 üretiminin teknik açıdan N2 sınıfı mantık wafer üretiminden daha kolay kabul edilmesine rağmen fiyatların bu kadar yükselmiş olması. Mevcut tablo, emtia tipi DRAM tarafındaki kronik arz sıkışıklığının fiyatlara güçlü biçimde yansıdığını gösteriyor.
Üstelik yakın dönemde belirgin bir normalleşme beklentisi de öne çıkmıyor. Samsung’un B1b sürecinde bellek hücreleri ile çevre sürücü devrelerini ayrı wafer’larda üretip bunları wafer-to-wafer hybrid bonding ile birleştirmeyi planladığı belirtiliyor. Hybrid bonding maliyetli bir yöntem olduğundan, yeni nesil DRAM ürünlerinde daha yüksek fiyatlandırma ihtimali gündemde kalabilir.
