Elon Musk’ın bellek fiyatlandırmasına yönelik son sözleri ve Terafab projesi etrafındaki temasları, yarı iletken tarafında yeni bir tartışmayı tetikledi. Musk, bu hafta Micron’u överken şirketin gelecekteki bellek fiyatlarında “makul” davrandığını söyledi ve diğer bazı oyuncuların “aşırı” fiyatlama yaptığını ima etti. Bu çıkışın Samsung’a gönderme olarak yorumlanmasının ardından, Güney Koreli bir yarı iletken mühendisi sosyal medyada Musk’a sert tepki gösterdi.
@TTHUEONE kullanıcı adıyla paylaşım yapan mühendis, Musk ve şirketlerinin Samsung’a karşı haksız ve sömürücü bir yaklaşım izlediğini öne sürdü. İddiaya göre Tesla, AI5 ve AI6 çipleri için zorlu sözleşme şartları dayattı; bunlar arasında şirket içi fabrika bilgilerinin paylaşılması ve denetim talepleri de yer aldı. Aynı paylaşımda fiyatların da ciddi şekilde aşağı çekilmeye çalışıldığı savunuldu. Mühendis ayrıca Terafab girişiminin, Samsung’un Texas eyaletindeki Taylor tesisinden önemli sayıda yeteneği kendi kadrosuna çektiğini ileri sürdü.
Bu tartışma, Musk’ın Terafab için TSMC ile de temas kurduğunu ima etmesiyle daha da dikkat çekici hale geldi. TSMC, SpaceX ile bu iddialı çip üretim projesi hakkında görüşmeler yürüttüğünü doğruladı. Bununla birlikte, Tayvanlı şirketin tesiste ortaklık kurması ya da fabrikayı sahiplenip işletmesi ihtimali Musk tarafından açık biçimde dışlanmış durumda.
Terafab, Tesla ve SpaceX arasında şekillenen, Intel’in de güçlü teknolojik destek sunduğu bir yarı iletken girişimi olarak tanımlanıyor. Projenin uzun vadeli hedefi, yılda 1,000 gigawatt yani 1 terawatt düzeyinde AI compute üretimine ulaşmak. Şimdilik erken aşamada olan girişim için Texas, Grimes County’de kurulacak yarı iletken kompleksi adına $16.8 milyar yatırım planlanıyor. Tesisin nihai ölçekte 100 milyon sq. feet alana yayılması öngörülüyor.
Terafab’ın temel fikri, son on yıllarda yarı iletken üretiminde belirginleşen parçalı yapıyı azaltmak. Maske üretimi ve litografi, gelişmiş chiplet paketleme ve test gibi farklı süreçlerin tek çatı altında toplanması amaçlanıyor. Böylece bugün 6 – 9 ay sürebilen çip tasarım döngüsünün haftalar seviyesine indirilmesi hedefleniyor.
Haberde öne çıkan teknik ayrıntılardan biri de Tesla’nın AI5 çipi. Yarı reticle fiziksel boyuta sahip olduğu belirtilen bu tasarımda, hesaplama yükünü üstlenen büyük bir ana yonga ortada konumlanıyor ve çevresinde 12 DRAM modülü yer alıyor. AI5’in TSMC ve Samsung’un Taylor tesisi tarafından 2nm üretim süreciyle üretilmesi planlanıyor. Çipin 2000-2500 TOPS düzeyinde performans sunacağı ifade ediliyor.
Tek çipli sürümün yaklaşık NVIDIA H100 seviyesinde olduğu, çift çipli yapılandırmanın ise Blackwell ile rekabet edecek düzeye çıktığı belirtiliyor. Bellek tarafında ise başlangıçta 144 GB LPDDR5 beklenirken, bu kapasitenin önce 72 GB ihtimaliyle gündeme geldiği, ardından son olarak 96 GB seviyesine çekildiği aktarılıyor. Deneme üretimi Samsung’un Texas’taki Taylor tesisinde başlamış durumda; hacimli üretim için işaret edilen tarih ise 2027.
Musk daha önce AI5’in, NVIDIA’nın benzer bir çözümüne kıyasla yaklaşık 3x performansı maliyetin sadece yüzde 10’u seviyesinde sunacağını söylemişti. Ayrıca AI6 ve AI6.5 çiplerinin de TSMC ve Samsung üretim hatlarını kullanmasının beklendiği, bu tasarımlarda yüksek miktarda SRAM’e yer verileceği ifade ediliyor. Musk’ın nisan ayında yaptığı açıklamaya göre bu çiplerde TRIP AI hızlandırıcılarının yaklaşık yarısı SRAM’e ayrılıyor; böylece SRAM önbelleği içindeki hesaplamalarda etkin bellek bant genişliği DRAM’e kıyasla bir büyüklük mertebesi daha yüksek olabiliyor. Buna karşın DRAM kapasitesinin üçte bir oranında azaltılarak 144 GB düzeyine çekildiği de belirtiliyor.
