TSMC, A14 üretim sürecinin son üç ayda belirgin ilerleme kaydettiğini ve gelişim takviminde N2’ye kıyasla daha iyi bir noktada olduğunu açıkladı. 1.4nm sınıfındaki bu süreç için şirket, dahili ürün benzeri test aracında hedef cihaz performansının yaklaşık %90’ına ve 256Mb SRAM veriminde de yaklaşık %90 seviyesine ulaşıldığını belirtti.
Şirketin verdiği önceki güncellemeyle karşılaştırıldığında ilerleme hızı dikkat çekiyor. Nisan ayında A14 için hedef transistör performansının %85’in üzerine, 256Mb SRAM veriminin ise %80’in üzerine çıkıldığı paylaşılmıştı. Yaklaşık üç ay sonra her iki metrik de %90’a yaklaşmış durumda. Bu tablo, kısa sürede cihaz performansında yaklaşık %5, SRAM veriminde ise yaklaşık %10’a yakın ek kazanıma işaret ediyor.
Karşılaştırma için N2’ye bakıldığında, bu süreç Nisan 2023’te hedef cihaz performansının %80’ini aşmış, 256Mb SRAM test yongasında ise %50’nin üzerinde verim göstermişti. Nisan 2024’e gelindiğinde N2, performansta %90’ın üzerine ve SRAM veriminde %80’in üzerine çıkmıştı. Gelişim eğrileri bire bir karşılaştırılamasa da, A14’ün benzer aşamada daha hızlı olgunlaştığı görülüyor.
Bu farkın arkasında TSMC’nin GAA nanosheet transistörlerde artan tecrübesi yer alıyor olabilir. N2, şirketin bu yapıyı kullanan ilk süreciydi. A14 ise ikinci nesil GAA tasarımını temel alıyor. Bu da transistör tasarımı, süreç ayarları ve üretim deneyimi tarafında N2’den edinilen birikimin A14’e doğrudan katkı sağlamasını mümkün kılıyor.
Öte yandan yüksek 256Mb SRAM verimi, daha çok düşük hata yoğunluğu ve süreç bütünlüğüne işaret ediyor; ticari bir işlemcinin işlevsel ya da parametrik verimini doğrudan temsil etmiyor. Buna rağmen, seri üretime yaklaşık 2.5 yıl varken bu seviyelere ulaşılması önemli. TSMC, A14’ün 2028’in ikinci yarısında hacimli üretime girmesini bekliyor. Şirket ayrıca akıllı telefon ve AI/HPC tarafında müşteri ilgisinin güçlü olduğunu, yeni tape-out faaliyetlerinin de planlanandan önde ilerlediğini söylüyor.
A14, N2’ye kıyasla aynı güç ve aynı transistör sayısında %10-%15 performans artışı ya da aynı frekans ve aynı karmaşıklıkta %25-%30 güç tasarrufu vadediyor. Ayrıca karma tasarımlarda yaklaşık %20, mantık tarafında ise %23 transistör yoğunluğu artışı hedefleniyor.
