Sektörde ilk kez tek yongada 128 Gigabit yoğunluk sunan 3D dikey NAND (V-NAND) flash belleğinin seri üretimine geçtiğini duyurmuş olan Samsung, bu teknolojinin global BT endüstrisinde çok büyük bir kilometre taşı olduğunu söylüyor.
V-NAND, son 40 yıldır kullanılan geleneksel floating-gate (kayan geçit) tabanlı yapısını değil, Samsung’un 3D CTF (Charge Trap Flash) tabanlı dikey hücre yapısını ve 3D hücre dizilimine bağlantı için dikey IC işlem teknolojisini kullanıyor. Her iki teknolojiyi bir araya getirerek 20nm NAND boyutunu ikiye katlayabiliyor.
Şimdilik yalnızca kurumsal sunucular ve verimerkezlerini hedefleyen Samsun V-NAND SSD, 960GB ve 480GB kapasitelerde üretiliyor.
