G.Skill’in AMD EXPO ULL (Ultra Low Latency) odaklı yeni Trident Z5 NeoX bellek kitleri perakende satışa çıktı. İlk etapta görünen modeller 32GB (2x16GB) çift kanal yapıdaki DDR5-6000 seçeneklerinden oluşuyor. Seri siyah, parlak siyah ve beyaz olmak üzere üç farklı renk seçeneğiyle geliyor. Ancak ürün ailesinin tüm kapasite ve hız seçenekleri henüz netleşmiş değil.
Asıl dikkat çeken nokta ise fiyatlandırma. AMD daha önce EXPO ULL kitlerin standart EXPO belleklerle “neredeyse aynı fiyat” seviyesinde olacağını belirtmişti, fakat mevcut listelemeler bunu doğrulamıyor. Trident Z5 NeoX DDR5-6000 C26 kiti, standart Trident Z5 Neo DDR5-6000 C26 modele göre %57 daha pahalı. DDR5-6000 C28 varyantında fark %79’a çıkıyor. C30 ve C36 sürümlerinde ise fiyat primi sırasıyla %14 ve %9 seviyesinde.
Karşılaştırılan standart Trident Z5 Neo kitleri 2 x 16GB kapasiteyle DDR5-6000 hızında geliyor. Bu modellerin birincil zamanlamaları sırasıyla 26-36-36-96, 28-36-36-96, 30-38-38-96 ve 36-36-36-96 olarak listeleniyor. Çalışma voltajları da modele göre 1.45V, 1.40V ve 1.35V seviyelerinde değişiyor.
EXPO ULL kitlerin farkı yalnızca ürün sayfasında görünen CL, tRCD, tRP ve tRAS değerlerinden ibaret değil. Bu sınıfta tREFI, tRRDS ve tWR gibi ikincil zamanlamalarda da daha agresif optimizasyon uygulanıyor. Perakende listelemelerde bu değerler genellikle görünmediği için, EXPO ULL sertifikasının gerçek etkisini sadece temel tabloya bakarak anlamak zor.

Yine de görünen veriler arasında en belirgin unsur tRAS değeri. Trident Z5 NeoX kitlerde tRAS, standart Trident Z5 Neo serisine kıyasla bazı örneklerde %67’ye kadar daha düşük seviyeye iniyor. DDR5 mimarisinde iki bağımsız 32-bit alt kanal yapısı ve BL16 burst uzunluğu nedeniyle satırlar daha uzun süre açık kaldığından, tRAS değerleri doğal olarak DDR4’e göre daha yüksek olabiliyor. EXPO ULL kitler bu noktada daha sıkı ayarlarla öne çıkıyor.
Bir diğer avantaj da voltaj tarafında. Trident Z5 NeoX serisi tüm yığında 1.35V ile çalışıyor. Bu değer, bazı standart Trident Z5 Neo kitlerinde görülen 1.40V ve 1.45V seviyelerinden daha düşük. Daha düşük DRAM voltajı, daha az güç tüketimi ve daha düşük sıcaklık anlamına gelirken, aynı zamanda ek ayar alanı da sağlayabiliyor. Yüksek fiyat farkının temel nedeni ise daha sıkı eleme ve doğrulama süreci.

