Intel, Ohio’daki dev fab kompleksini 2031’e kadar faaliyete alma hedefinde kararlı görünüyor. Şirketin, bu tesiste özellikle 14A sürecinin yüksek hacimli üretimini hızlandırmak için cömert mesai primleri sunduğu belirtiliyor. Yaklaşık 1.000 dönümlük kompleks, Intel’in “Angstrom era” olarak adlandırdığı 18A ve 14A süreçlerine odaklanacak.
Üretim tarafındaki bu takvime paralel olarak, Intel’in gelişmiş paketleme cephesinde de önemli bir ilerleme dikkat çekiyor. Şirketin EMIB-T çözümü, artık TSMC’nin CoWoS-L yaklaşımına daha güçlü bir alternatif olmaya hazırlanıyor. Intel’in klasik EMIB tasarımı, aynı paket içindeki birden fazla silikon yongayı, organik substrate içine gömülü küçük silikon köprüler üzerinden birbirine bağlıyor.
EMIB-T ise bu yapıyı bir adım ileri taşıyor. Gömülü silikon köprülerin içinden geçen Through-Silicon Vias yani TSV kanalları sayesinde güç ve yüksek hızlı sinyaller, paket tabanından doğrudan yukarı taşınabiliyor. Bu da işlemci ve bellek tarafında 3D yığınlama için daha uygun bir yapı oluşturuyor. Ayrıca EMIB-T’nin, TSMC’nin CoWoS’una kıyasla yaklaşık %50 daha ucuz olduğu ifade ediliyor.
Intel, EMIB-T paketleme hizmetini 2027’de yüksek hacimde sunmayı bekliyor. Paket tarafındaki verimin ise %90 seviyesine yaklaştığı aktarılıyor. Buna karşın temel darboğaz substrate verimi olmaya devam ediyor; bu alandaki verim şu anda %50 seviyesinde takılmış durumda.
Sorunlu görülen substrate yapısı; hassas oyuklara sahip organik taban paneli, gömülü köprülerin üstüne lamine edilen ABF tabanlı Dielectric Build-up Layer katmanları ve TSV içeren silikon köprülerden oluşuyor. Bu parçaların bir araya gelişindeki verim, Intel’in EMIB-T’yi geniş ölçekte yaygınlaştırma planlarının önündeki ana engel olarak öne çıkıyor. Yine de platformun erken aşamada olduğu, hızlı kapasite artışı ve verim iyileştirmenin öncelik olmaya devam ettiği belirtiliyor.
