Samsung, Hot Chips sunumunda HBM belleklerin taban kalıbını gelişmiş mantık üretim süreçleriyle dönüştürmeye yönelik üç aşamalı bir yol haritası paylaştı. Şirketin yaklaşımı, bugün daha çok arayüz ve kontrol görevleri üstlenen base die katmanını, yeni nesil yapay zeka sistemlerinde daha aktif bir bileşene dönüştürmek üzerine kurulu.
HBM yapısında üstte DRAM hücrelerini barındıran Core Die, altta ise veri yolları ve çeşitli DRAM işlevlerini yöneten Base Die yer alıyor. Samsung’a göre asıl baskı noktası bant genişliği. HBM4 yığın başına 3 TB/s üzeri bant genişliği sunarken, HBM4E bunun 4 TB/s seviyesine çıktığı bir geçişi temsil ediyor. HBM5 içinse HBM4’ün bant genişliğinin iki katına ve 60 GB üzeri kapasitelere işaret ediliyor. Ancak bu ölçeklenme, TSV yoğunluğu, pin aralığı ve Base Die içindeki I/O hız-güç sınırlarıyla karşılaşıyor.
Şirket, HBM4 tarafında D1c ve 4nm süreçlerini kullandığını, temel hedefin güç tüketimini azaltmak ve aktif alanı küçültmek olduğunu belirtiyor. İlk aşamada custom HBM yaklaşımıyla standart PHY yerine daha kompakt bir D2D arayüzü öne çıkıyor. Bu sayede daha kısa veri yolları üzerinden daha iyi enerji verimliliği ve xPU tarafında boşalan silikon alan elde ediliyor. Samsung, cHBM4 üzerinde kullanılan Heat Path Block teknolojisinin tepe sıcaklığı %35’ten fazla düşürdüğünü ve PHY alanının %50’sini kapsadığını söylüyor.
![A chart titled 'HBM Development History' shows increasing max capacity [GB] and bandwidth [TB/s] from HBM to HBM5, with HBM5 having the highest values in both metrics.](https://hardwaremania.com/wp-content/uploads/2026/08/2026-08-23-22-48-40-scaled-1787518932923.webp)
İkinci aşamada bellek denetleyicisi gibi bazı işlevlerin xPU’dan HBM taban kalıbına taşınması, ayrıca SRAM tabanlı onarım, telemetri, test ve harici bellek genişletme denetleyicileri gibi ek özellikler gündeme geliyor. Daha ileri noktada kısmi işlem birimlerinin de bu yapıya eklenmesi planlanıyor.
Üçüncü aşama ise gerçek 3D yakınsamayı temsil eden zHBM. Bu tasarımda HBM, doğrudan XPU üzerine dikey olarak yerleştiriliyor ve 2.5D interposer ortadan kalkıyor. Samsung, standart HBM4E’ye kıyasla %70 güç verimliliği artışı, %230 daha yüksek DRAM bant genişliği, modül başına 100 W’a kadar tasarruf ve XPU için %8.3 ek güç bütçesi potansiyelinden söz ediyor. Bu yapı için WoW ve Hybrid Cube Bonding gibi ileri paketleme teknikleri geliştiriliyor.
